企业动态

NS4830A 单声道 AB/D 类 Charge Pump 升压类音频功率放大器

NS4830A 是一款 AB/D 类工作模式可切换，电容式升压型单声道音频功率放大器。芯片内部固定增益 28 倍，有效减少了外围元器件的数量。芯片可通过一个控制管脚高低电平切换选择 AB/D 类工作模式，以匹配不同的应用环境。芯片内置有 NCN 防破音功能，可根据输出信号幅值自动调整功放增益，实现客户应用需求。 NS4830A 在 4.2V 的工作电压时，能够向 4Ω负载提供高达 5W 的输出功率。另外 NS4830A 内置过热保护，输出短路和过流保护功能，能有效地保护芯片在异常工作状况下不被损坏。 NS4830A 提供 eSOP10 封装，额定的工作温度范围为-40℃至 85℃。

2026-02-05 1801 关键词： NS4830A 音频功率放大器工作电压输出功率
NS8002D 单声道 AB 类音频功率放大器

NS8002D 是一款 AB 类桥式输出音频功率放大器。其应用电路简单，只需极少数外围器件。输出不需要外接耦合电容或上举电容和缓冲网络，更适合用于便携系统。 NS8002D 可以通过控制 SD 引脚进入低功耗关断模式，从而减少功耗。增益带宽积高达 2.5MHz且单位增益稳定。通过配置外围电阻可以调整放大器的电压增益，方便应用。 NS8002D 提供 SOP8 封装，额定的工作温度范围为-40℃至 85℃。

2026-02-05 2099 关键词： NS8002D 音频功率放大器电压范围输出功率
SC4D50120H-JSM 碳化硅肖特基二极管

在新能源、工业控制等领域飞速发展的今天，功率器件的性能直接决定了系统的效率、可靠性与小型化水平。传统硅基器件逐渐难以满足高频、高温、高压场景下的严苛需求，而碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的核心代表，正以其卓越的物理特性重塑功率电子行业格局。杰盛微半导体深耕功率器件领域多年，凭借深厚的技术积累与精准的市场洞察，重磅推出SC4D50120H-JSM碳化硅肖特基二极管。这款产品集零恢复电流、高阻断电压、宽温工作等多重优势于一身，为各类高端电力电子设备提供了高效可靠的解决方案，堪称功率系统升级的“性能利器”。

2026-02-05 2099 关键词：碳化硅肖特基二极管功率器件二极管
SC6D10170H-JSM 碳化硅肖特基二极管

在新能源、工业控制等高端电力电子领域，碳化硅（SiC）肖特基二极管凭借高效、耐高温、高频的核心优势，成为提升系统性能的关键器件。杰盛微半导体深耕宽禁带半导体领域，重磅推出SC6D10170H碳化硅肖特基二极管，精准对标行业标杆型号C4D1017OH，在电气性能、可靠性、应用适配性等方面实现全面突破，为各类高要求电力电子设备注入强劲动力！

2026-02-05 2001 关键词：碳化硅肖特基二极管 SC6D10170H 杰盛微半导体
JSM741 差动霍尔速度传感器

在汽车产业电动化、智能化的浪潮下，车载传感器作为车辆的“感知神经”，是保障行车安全、实现智能控制的核心基础。其中，车轮速度传感器作为ABS、ESP、自动变速器等关键系统的核心元器件，需在高低温、强电磁干扰、剧烈振动等严苛车载环境中，持续稳定输出精准的转速数据，技术门槛与可靠性要求极高。杰盛微深耕车载半导体领域，凭借自主研发实力与多年技术沉淀，推出JSM741差动霍尔速度传感器芯片，全面对标TLE4941，在核心性能、技术架构、应用适配等方面实现精准匹配，更结合本土产业需求完成创新升级，以国产芯硬实力为汽车电子行业提供高性能、高可靠性、高性价比的无缝替代解决方案，推动车载核心传感器的国产化替代进程。

2026-02-05 2026 关键词： JSM741 车载传感器国产化替代
单片机芯片怎么选？从参数到场景，一文读懂选型秘籍！

选单片机，核心是 “需求 - 参数 - 场景” 精准匹配：成本敏感就盯 8 位低价芯片，工业场景优先可靠性，电池供电死磕低功耗。跟着这篇攻略走，从参数到场景全吃透，再也不用为选型发愁！

2026-02-05 3250 关键词：单片机芯片选型参数选型步骤
IAR携手极海半导体，高效开发全球首款基于Cortex－M52的G32R501实时控制MCU，赋能中国嵌入式创新

全球领先的嵌入式开发工具供应商IAR与中国知名MCU供应商极海半导体联合正式宣布，IAR Embedded Workbench for Arm的最新版本现已全面支持极海G32R501系列实时控制MCU。G32R501是全球首款基于Arm® Cortex®-M52处理器双核架构的实时控制MCU，支持Arm Helium™矢量扩展（M-profile Vector Extension, MVE）和极海自研的紫电数学指令扩展单元等创新特性，可广泛适用于新能源光伏、工业自动化、新能源汽车、商业电源等高端应用领域。

2026-02-05 2425 关键词： IAR 极海半导体 G32R501 实时控制MCU 嵌入式开发
JSM9N20D 200V N 沟道 MOSFET

在新能源、工业控制、消费电子等领域飞速发展的当下，功率器件作为电路核心“动力枢纽”，其性能上限直接决定了终端产品的能效、稳定性与使用寿命。杰盛微半导体深耕功率器件研发与制造多年，始终以技术创新为核心驱动力，今日正式推出200V N沟道MOSFET——JSM9N20D。这款凝聚了杰盛微核心技术的产品，凭借快速开关、高可靠性、优异热性能等多重优势，专为开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等关键场景量身打造，为电力电子行业提供高性能、高性价比的解决方案。

2026-02-04 1809 关键词：功率器件 JSM9N20D 沟道MOSFET
四脚碳化硅HSCH132M120：封装革命、高耐压优势与高压应用全解析

随着新能源汽车、光伏储能、工业变频等高压大功率应用的快速增长，传统硅基功率器件在效率、功率密度和温升控制等方面逐渐面临瓶颈。碳化硅作为新一代半导体材料，凭借其更宽的能量带隙、更好的导热性和更高的耐压强度等天然优势，正在改变功率电子行业。在这一技术变革中，合科泰电子推出了四脚封装的碳化硅MOSFET HSCH132M120（1200V/132A）。该产品以其独特的封装设计、出色的开关性能和可靠的

2026-02-04 3235 关键词：碳化硅MOSFET 四脚封装高压应用技术参数市场选型
JSM9N20C 200V N 沟道 MOSFET

在电力电子技术日新月异的当下，MOSFET作为承载能量转换与电路控制的核心功率器件，其性能表现直接决定了终端产品的能效水平、运行稳定性与使用寿命。从工业自动化生产线的核心控制单元，到消费电子的高效电源适配器；从新能源领域的小型逆变器，到汽车电子中的电机驱动系统，高压MOSFET的品质与可靠性始终是行业创新发展的关键支撑。

2026-02-04 1906 关键词：杰盛微半导体 JSM9N20C MOSFET 低阻高效