SAMSUNG/三星内存芯片K4FHE3D4HA-TUCL 数据传输速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4FHE3D4HA-THCL 数据传输速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4FHE3D4HA-TFCL 数据传输速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4FBE3D4HM-TUCL 数据传输速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4FBE3D4HM-THCL 数据传输速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4FBE3D4HM-TFCL 数据传输速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4F6E3S4HM-TUCL 数据传输速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4F6E3S4HM-THCL 数据传输速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4F6E3S4HM-TFCL 数据传输速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4F2E3S4HA-TUCL 数据传输速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4F2E3S4HA-THCL 数据传输速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4F2E3S4HA-TFCL 数据传输速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封装

专业SAMSUNG/三星内存芯片K4EBE304ED-EGCG 容量 32GB 速率2133Mbps 电压1.8V~1.2V 温度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封装

专业SAMSUNG/三星内存芯片K4E8E324ED-EGCG 容量 8GB 速率2133Mbps 电压1.8V~1.2V 温度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封装

专业SAMSUNG/三星内存芯片K4E6E304ED-EGCG 容量 16GB 速率2133Mbps 电压1.8V~1.2V 温度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封装

专业SAMSUNG/三星内存芯片K4EBE304EC-EGCG 容量 32GB 速率2133Mbps 电压1.8V~1.2V 温度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封装

专业SAMSUNG/三星内存芯片K4E8E324EB-EGCG 容量 8GB 速率2133Mbps 电压1.8V~1.2V 温度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封装

专业SAMSUNG/三星内存芯片K4E6E304EC-EGCG 容量16GB 速率2133Mbps 电压1.8V~1.2V 温度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封装

SAMSUNG/三星KLUFG8RHDB-B0E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。512GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUFG8RHDA-B2E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。512GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUEG8UHDC-B0E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。256GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUEG8UHDB-C2E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。256GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUDG4UHDC-B0E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。128GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUDG4UHDB-B2E1 储存芯片 移动存储领域的高性能产品，适合移动设备和汽车。128GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLMDG8JEUD-B04Q 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口