- 国调基金战投芯速联，助推硅光芯片及光模块产业化
- 第三代碳化硅技术，低损耗与高功率密度——华轩阳HXY C3M0021120K SiC MOSFET应用解析
- 硅晶圆制造商上半年盈利能力下降，新厂折旧费用成拖累
- 硅基 vs 碳化硅：C1D02065E 如何破解高功率密度电源的“热失效”难题
- 日本化学品制造商Resonac成功开发12英寸碳化硅单晶衬底
- 650V碳化硅肖特基二极管：DSC06C065如何重塑电源系统的效率与热管理
- 总投资20亿，宏禧科技12英寸硅基OLED项目核心设备进场
- 1200V/13mΩ 碳化硅MOSFET：华轩阳电子 NTH4L013N120M3S 在高功率密度电源设计中的应用解析
- 1700V碳化硅肖特基二极管：如何在高频PFC设计中实现零反向恢复损耗？——华轩阳电子HXY MSC2X31SDA170J深度解析
- 三星加速硅光子技术研发，计划年底前完成晶圆测试
