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该碳化硅场效应管(MOSFET)为N沟道类型，具有117A的连续漏极电流能力和高达1200V的漏源电压耐受性。其导通电阻仅为33毫欧姆，有助于减少能量损耗和提高系统效率。栅源电压范围从-4V到!8V，适用于要求高功率密度和快速开关速度的应用场合。此MOSFET以其出色的热性能和可靠性，在需要高效能转换解决方案的领域表现出色。