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这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）的最大连续电流（ID）为32A，能够承受高达1200V（VDSS）的电压。其导通电阻（RDSON）低至75毫欧，有助于降低工作时的能耗。器件可在最高15V的栅源电压（VGS）下正常工作，适合应用于需要高压和低损耗特性的电子产品中，比如高性能的电源转换器或者电力调节装置。