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这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)支持最高18A的连续漏极电流与1200V的漏源电压，具有160毫欧姆的低导通电阻，能够有效降低能耗并提升效率。其栅源电压为20V，适用于需要在高压环境下实现高效能转换的应用场景。凭借优秀的电气特性和稳定性，该MOSFET非常适合对性能有严格要求的电源管理和转换系统使用。