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这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有19A的连续电流能力（ID/A），能够承受的最大电压（VDSS/V）为1200V。其导通电阻（RDSON/mR）为160毫欧，确保了较低的功耗。该器件的工作栅源电压（VGS/V）为±20V，适用于需要高效率和高频操作的应用，如电源转换系统、太阳能逆变器以及其他要求苛刻的电力管理解决方案中。其优越的性能使其成为高性能电力电子的理想选择。