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这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)专为高性能需求设计，最大漏极电流为29A，支持最高650V的漏源电压，适用于需要承受高压的工作环境。其导通电阻为60mΩ，有助于减少能量损耗，提高效率。栅源电压范围设定在-15V至!5V之间，保证了良好的驱动性能。此MOSFET非常适合应用于要求高效转换、紧凑设计以及稳定运行的电源管理系统或电子控制装置中。