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这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有78A的漏极电流（ID）承载能力，以及高达1200V的漏源电压（VDSS），展现了优异的高压处理性能。其导通电阻（RDSON）仅为40毫欧，有助于显著降低能耗。栅源电压（VGS）额定值为±18V，提供了可靠的驱动保障。该器件适用于追求高性能与低功耗的应用领域，在高频逆变和其他需要坚固耐用且高效能元件的电路设计中尤为适用。
