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这款碳化硅场效应管(MOSFET)采用N沟道设计，具备出色的电气性能。其最大漏极电流可达120A，支持高达650V的漏源电压，确保了在高功率场景下的可靠运行。导通电阻仅为15mΩ，有效降低能量损耗和发热，提高系统效率。栅源电压范围为-15V至!5V，提供良好的驱动兼容性。该产品适用于需要高效能、低热阻且能在高压条件下工作的多种应用场景，如高性能电源转换器或要求严格控制功耗的电子设备中。