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这款碳化硅场效应管（MOSFET）具有18A的连续漏极电流（ID/A），能够承受高达1200V的漏源击穿电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mR）仅为160毫欧姆，在20V的栅源电压（VGS/V）下工作。作为一款N沟道MOSFET，它适用于高效率开关电源、太阳能逆变器以及其他需要高性能、高可靠性的电力转换系统中，能够在高频操作条件下减少能量损失，提升整体系统的能效比。
