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这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有120A的最大导通电流（ID/A），适用于要求苛刻的电流应用。其耐压能力达到650V（VDSS/V），能够在高压条件下稳定工作。导通电阻（RDSON/mR）低至15毫欧姆，有效减少了导通状态下的能量损失。栅源电压（VGS/V）为15V，提供了可靠的驱动性能。此MOSFET适合应用于需要高性能与低能耗特性的电子设计中。
