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该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、8.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的栅源电压（VGS）额定值。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，同时支持高电流通过能力。器件适用于高效率开关电源、电机驱动、直流-直流转换器等应用，在高频开关操作中可维持良好的性能与热稳定性。
