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该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流能力，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，在栅源驱动电压范围-8V至@0V（VGS）内可靠运行。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高电压、高频率工作条件下表现出较低的开关与导通损耗，适用于对效率、体积及热性能有严苛要求的电源转换系统。