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该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，在栅源电压范围-8V至@0V（VGS）内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，适用于高效率、高频率的电源转换场景，其低导通损耗与高耐压能力有助于提升系统整体性能，适合对能效和热管理有较高要求的应用环境。
