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该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至2.9毫欧。其高电流承载能力与极低导通损耗特性，使其适用于对效率和热性能要求较高的电源转换及功率开关场景。器件结构优化了导通与开关性能，在高频操作下仍能保持较低的功率损耗，适合用于各类高密度、高效率的电子系统中。
