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该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为4.7毫欧。低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体效率，适用于高电流开关电源、电池管理系统、电动工具驱动以及各类高效功率转换电路。其电气参数适合在高频、大电流条件下稳定运行，满足对热性能和能效有较高要求的应用场景。
