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该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为4.7毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其低导通电阻有助于降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较低温升。适用于对效率和热性能要求较高的开关电源、电池管理系统及便携式高功率设备中的功率转换与控制电路，能够稳定支持大电流持续运行。