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该N沟道MOSFET具有70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为3.5毫欧。其低RDS(ON)特性可有效降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较高的能效水平。适用于高频开关电源、负载开关、电池管理系统及对热管理与空间布局敏感的电子装置中，能够支持紧凑型设计并提升系统整体可靠性。