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该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及最高20V的栅源电压（VGS）。其较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效。适用于电源转换、同步整流、电机驱动及高频开关等电路，在空间受限或对热管理有要求的电子系统中可提供稳定可靠的性能表现。
