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该N沟道MOSFET具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为6.4毫欧。低导通电阻有助于在高电流条件下显著降低导通损耗，提升整体能效，并改善热管理表现。器件适用于对功率密度和效率要求较高的开关电源、电机驱动、电池供电系统及各类高电流电子负载控制场合，能够支持快速开关动作并维持稳定的工作特性。
