在全球存储芯片持续紧缺、AI驱动需求激增的背景下，中国领先的NAND Flash制造商——长江存储（YMTC）正以惊人速度推进其武汉三期晶圆厂建设。

据业内最新消息，原定于2027年实现量产的三期项目，有望提前至2026年下半年正式启动，比原计划整整提前一年。

长江存储三期项目于2025年9月正式动工，由长江存储与湖北国资联合出资成立的“长存三期（武汉）集成电路有限责任公司”主导，注册资本高达207.2亿元。项目自启动以来进展迅猛：截至2026年初，工地已进入洁净厂房设备安装阶段，生产设备采购与产线调试同步展开。从破土动工到设备搬入仅用一年多时间，在半导体行业极为罕见，凸显其“边建厂、边投产”的高效策略。

此次提速背后，是长江存储对全球NAND市场“超级周期”的对应布局。当前，受AI服务器、数据中心及消费电子复苏推动，NAND Flash供不应求。然而，三星、SK海力士、美光等国际大厂正将产能优先投向高利润的HBM和高端DRAM，导致智能手机、PC等传统应用领域供应紧张。这为长江存储提供了宝贵的市场窗口——凭借快速释放的新增产能，可迅速填补中端市场空缺，扩大客户覆盖。

数据显示，长江存储全球市占率已从2024年的9%跃升至2025年第三季度的13%，首次突破10%大关。若三期项目如期在2026年下半年量产，其市场份额有望冲击15%以上，进一步逼近全球前四。

尤为关键的是，长江存储的增长并非依赖低价倾销，而是建立在扎实的技术创新之上。其独创的Xtacking架构已迭代至3.0甚至4.0版本，在3D NAND堆叠层数、读写速度和能效比方面达到国际一线水平。目前，其产品良率与可靠性获得客户高度认可，旗下消费品牌“致态”连续两年蝉联京东SSD品类双十一大促销量与GMV冠军，印证了市场对其品质的信任。

在知识产权方面，长江存储已积累超11,000项专利，其中绝大多数为发明专利。更值得注意的是，连三星电子都曾向其购买用于400层以上3D NAND制造的混合键合（Hybrid Bonding）相关专利，足见其技术影响力已获国际巨头认可。

值得强调的是，这一切成就均是在美国将其列入实体清单、严格限制美系设备与材料出口的严峻环境下取得的。长江存储通过构建“去美化”产线，大量采用国产刻蚀机、薄膜沉积设备、清洗机等，成功实现供应链自主可控。这也得益于近年来中国半导体设备与材料企业的快速进步，以及NAND Flash本身对极紫外光刻（EUV）等尖端制程依赖较低的特性。