马斯克:ASML正加速为Terafab交付芯片设备,2028年量产“快得近乎离谱”

马斯克:ASML正加速为Terafab交付芯片设备,2028年量产“快得近乎离谱”

  • 2026-10-21
  •  140

关键词: Terafab ASML EUV光刻机 芯片量产

10月21日消息,埃隆·马斯克(Elon Musk)在SpaceX第三季度财报电话会议上透露,荷兰ASML及其他关键芯片制造设备供应商已加快向特斯拉和SpaceX合资的Terafab项目供货。受此消息提振,ASML ADR美股盘后涨幅迅速扩大至2.7%。

2028年三季度量产,马斯克自认时间表激进

马斯克在电话会议上表示,Terafab计划在2028年第三或第四季度实现芯片量产。

谈及这份时间表时,他坦言:“我给这个目标预留了很大的误差区间,因为我们不确定最终能否如期达成。”他甚至直言:”只能说,2028年第三季度或第四季度实现量产,至少属于有可能实现的结果。芯片制造的周期本来就很长,这个时间安排快得近乎离谱。”

在美国,一座前沿逻辑芯片工厂的建设周期通常需要三年甚至更久,而马斯克过往设定的多个时间表,其旗下公司都未能如期兑现。

据业内统计,Terafab项目预计耗资200亿至250亿美元,规划满产月产能达100万片晶圆——约相当于台积电当前全球总产能的70%,而运营方却是两家从未有过半导体制造经验的公司。

年产1太瓦算力,厂区“一园全包”

Terafab是马斯克为满足SpaceX和特斯拉大规模芯片制造需求而提出的计划,目标是弥补台积电等现有供应商在先进AI处理器及其他芯片上的供应缺口。该项目计划每年产出1太瓦算力,供给人工智能与机器人业务使用——这一目标约相当于当前全球先进AI芯片年产量的50倍。

马斯克介绍,这座规划设在得克萨斯州的综合厂区,将在同一园区内完成先进逻辑芯片与存储芯片的制造、封装和测试。

此前披露的信息显示,一期项目位于得州格莱姆斯县,承诺投资超过168亿美元,计划2026年12月破土动工、2028年底建成,采用英特尔1.4纳米级(14A)工艺。

马斯克还透露了内部规划:明年5月或6月前后,位于奥斯汀的Terafab研发基地将产出首款采用静态随机存取存储器(SRAM)电路的测试芯片并实现正常工作。芯片厂商一般会先制造SRAM电路,以此打磨生产工艺。

设备采购成最大瓶颈之一

电话会议上,一名卖方分析师直接提问:SpaceX是否已向ASML下单采购极紫外光刻(EUV)设备?英伟达、AMD生产最尖端芯片都离不开这种机器。

马斯克没有正面回答,只是说:“这个时间表本身就极具挑战,我们非常感谢ASML以及其他所有供应商加快设备交付,助力我们争取实现目标。”

设备采购确实是Terafab面临的一大难题。ASML是全球唯一的EUV光刻机制造商,单台标准EUV售价约2.5亿美元,High-NA机型接近4亿美元,年产能仅50至60台,交付周期长达12至18个月。

台积电、三星、英特尔、SK海力士和美光都在排队抢购产能。Terafab要从ASML及应用材料、KLA等美国供应商手中抢到足量精密设备,绝非易事。ASML管理层近期也坦言,仍在评估Terafab机会的具体规模,新晶圆厂从破土到大规模装机有漫长的工程准备周期,短期对订单的拉动可能被高估。

英特尔入局,台积电出局?

今年4月,英特尔宣布加入Terafab项目,首席执行官陈立武还与马斯克握手合影。本月早些时候陈立武在东京重申,英特尔将继续参与该项目。

值得一提的是,马斯克本月曾透露与台积电探讨过潜在合作,但随后明确表示Terafab将自主运营这座工厂。


来源:电子工程专辑

Baidu
map