US1MHE3_A/H_SMA_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SMA
类别: 快恢复/高效率二极管
最小包装: 2000/圆盘
参数1: 电流IO:1A
参数2: 电压VR:1000V
参数3: 压降VF:1.7V
参数4: 反向电流IR:5uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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此款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流(IF)和高达1000V的反向电压(VR),能够在高压环境下稳定工作。其正向压降(VF)仅为1.7V,在保证性能的同时减少了能量损耗。反向漏电流(IR)控制在5μA以内,确保了在非导通状态下的低能耗特性。瞬态峰电流(IFSM)可达30A,适用于需要处理瞬间大电流的应用场合。该二极管适用于高频开关电源、逆变器以及各类电子设备中的整流与保护电路中。

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