US1GHE3_A/H_SMA_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SMA
类别: 快恢复/高效率二极管
最小包装: 2000/圆盘
参数1: 电流IO:1A
参数2: 电压VR:400V
参数3: 压降VF:1.3V
参数4: 反向电流IR:5uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

-------<点击了解更多 + 购买>-------

这款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流(IF)承载能力,以及400V的反向电压(VR)耐受性,适用于多种高压应用。其正向电压降(VF)低至1.3V,有助于降低能耗,提升系统效率。反向漏电流(IR)限制在5μA,确保了在非导通状态下几乎无电流损耗。瞬时正向峰值电流(IFSM)达到30A,能够应对短时电流高峰。该二极管适用于高频开关电源、整流电路以及其他需要高效能快速切换的应用中。

Baidu
map