US1J-E3/5AT_SMA_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SMA
类别: 快恢复/高效率二极管
最小包装: 2000/圆盘
参数1: 电流IO:1A
参数2: 电压VR:600V
参数3: 压降VF:1.7V
参数4: 反向电流IR:5uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款快恢复/高效率二极管具备1A的额定正向电流(IF),同时拥有600V的最大反向电压(VR),适合用于高压环境下的设计需求。其正向电压降(VF)为1.7V,有助于减少电力损耗,提高整体效率。反向漏电流(IR)不超过5μA,在非导通期间能有效抑制电流泄漏。瞬时峰值电流(IFSM)可以承受高达30A,适用于需要应对突发大电流冲击的场合。这种二极管是构建高性能开关电源、直流变换器及其他需要快速切换特性的电子装置的理想选择。

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