US1G-E3/5AT_SMA_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SMA
类别: 快恢复/高效率二极管
最小包装: 2000/圆盘
参数1: 电流IO:1A
参数2: 电压VR:400V
参数3: 压降VF:1.3V
参数4: 反向电流IR:5uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

-------<点击了解更多 + 购买>-------

此款快恢复二极管具备高效率特点,额定最大平均正向电流(IF)为1A,可承受的最高反向电压(VR)为400V。当处于正向导通状态时,其电压降(VF)为1.3V,有助于保持较高的转换效率。反向漏电流(IR)维持在较低水平,仅为5μA,同时支持瞬态大电流(IFSM)30A的冲击。该二极管适用于要求严苛的高频切换电路及需要快速恢复时间的应用场合。

Baidu
map