ES1D-M3/61T_SMA_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SMA
类别: 快恢复/高效率二极管
最小包装: 2000/圆盘
参数1: 电流IO:1A
参数2: 电压VR:200V
参数3: 压降VF:0.95V
参数4: 反向电流IR:5uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流(If),能够在电路中顺畅地导通大电流。其反向恢复时间短,有助于提高转换效率,适用于开关电源等高频应用场合。该二极管拥有200V的最大反向电压(Vr),保证了在高压环境下的稳定性。正向压降(Vf)仅为0.95V,在导通状态下能有效减少能量损耗。反向漏电流(Ir)小于5μA,在非导通状态能显著降低漏电损失。瞬态峰值电流(Ifsm)达到30A,可应对短时间内电流急剧变化的情况。这些特性使其成为日常电子设备中不可或缺的组件。

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