ES1D-E3/5AT_SMA_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SMA
类别: 快恢复/高效率二极管
最小包装: 2000/圆盘
参数1: 电流IO:1A
参数2: 电压VR:200V
参数3: 压降VF:0.95V
参数4: 反向电流IR:5uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

-------<点击了解更多 + 购买>-------

这款快恢复二极管具有高效率特性,其最大平均正向电流(IF)为1安培,能够承受最高反向电压(VR)达到200伏特。在正向导通状态下的电压降(VF)仅为0.95伏特,这有助于减少能量损耗。该二极管的反向漏电流(IR)控制在微安级别,具体为5微安,在瞬态大电流(IFSM)情况下可承受高达30安培的峰值。这些特性使其非常适合用于高频开关电源以及需要高效能整流的应用中。

Baidu
map