IDW10G120C5B_TO-247_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 30/管装
参数1: 电流IO:10A
参数2: 电压VR:1200V
参数3: 压降VF:1.4V
参数4: 反向电流IR:150uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流(IF/A),能够在高达1200伏特的反向电压(VR/V)下稳定工作。其较低的正向电压降(VF/V)仅为1.4伏特,在确保效率的同时减少了能量损耗。该二极管在反向偏置条件下展示出良好的绝缘性能,漏电流(IR/uA)不超过150微安。此外,瞬态条件下,最大正向浪涌电流(IFSM/A)可达46安培,表明了其在承受短时过载电流方面的能力。这些特性使得此元件适用于需要高效率及可靠性的多种电路设计中。

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