-------<点击了解更多 + 购买>-------
这款碳化硅二极管具有6安培的正向电流（IF/A）和650伏特的反向击穿电压（VR/V），能够在高功率密度应用中提供稳定的性能。其正向压降（VF/V）仅为1.3伏特，在大电流工作条件下可显著减少功耗。反向漏电流（IR/uA）在室温下不超过50微安，体现了优异的阻断能力。此外，该二极管的最大瞬态正向电流（IFSM/A）可达48安培，适用于需要快速响应及高可靠性的电路设计中，确保了在动态负载条件下的稳健工作。
