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这款碳化硅二极管具有2安培的最大正向电流（IF/A）和高达1200伏特的反向击穿电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向压降（VF/V）仅为1.4伏特，在确保效率的同时减少了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）在室温下不超过8微安，显示出良好的阻断性能。瞬态条件下，最大正向浪涌电流（IFSM/A）可达24安培，适用于需要承受瞬间大电流冲击的应用场景。