C6D16065D_TO-247_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 30/管装
参数1: 电流IO:8A
参数2: 电压VR:650V
参数3: 压降VF:1.3V
参数4: 反向电流IR:24uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款碳化硅二极管具备8A的最大平均正向电流(IF/A),适用于多种电子电路中的电流处理。其反向电压(VR/V)为650V,能够在高压条件下提供稳定的性能。该二极管的正向电压降(VF/V)为1.3V,有助于减少能耗,提升系统的整体效率。反向漏电流(IR/uA)限制在24微安,确保了较低的功耗和更高的可靠性。瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)为65A,使得它在需要承受短时电流尖峰的应用中表现优异,是高频转换及其他需要可靠二极管性能的设计的良好选择。

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