C6D08065A_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220H-2L
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 50/管装
参数1: 电流IO:8A
参数2: 电压VR:650V
参数3: 压降VF:1.3V
参数4: 反向电流IR:50uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该款碳化硅二极管提供8A的正向电流能力(IF/A),并支持高达650V的反向电压(VR/V),适用于需要高耐压特性的电子设备。其正向电压降(VF/V)为1.3V,在导通期间有助于降低功耗。二极管的反向漏电流(IR/uA)控制在50微安,展示了优异的阻断特性。此外,其瞬时正向浪涌电流(IFSM/A)可达64A,使其能够在短时间内承受较大的电流冲击,适用于高频开关及电源转换等精密电路设计中。

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