C6D06065E_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252-2L
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 2500/圆盘
参数1: 电流IO:6A
参数2: 电压VR:650V
参数3: 压降VF:1.3V
参数4: 反向电流IR:50uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款碳化硅二极管具有6安培的最大正向电流(IF/A),并且能够承受最高650伏特的反向电压(VR/V)。其正向压降(VF/V)仅为1.3伏特,在确保高效导电的同时,有效降低了能量损耗。该二极管在反向偏置条件下,漏电流(IR/uA)控制在50微安以下,表明其在关闭状态下的漏电极低。此外,它拥有高达48安培的瞬态浪涌电流能力(IFSM/A),能够在短时间内处理较大的电流波动而不损坏。这些特性使得它适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效率和可靠性的电子设备中。

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