NXPSC10650B6J_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: 电流IO:10A
参数2: 电压VR:650V
参数3: 压降VF:1.3V
参数4: 反向电流IR:50uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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此款碳化硅二极管具备10A的正向电流能力(IF),同时支持最大650V的反向电压(VR)。其正向电压(VF)为1.3V,有助于减少能量损耗。该二极管在反向偏置时,反向漏电流(IR)控制在50微安以内,体现了出色的绝缘性能。其峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A,适用于要求严苛的高频开关与电源转换应用中,提供稳定且高效的性能表现。

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