C6D10065G_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: 电流IO:10A
参数2: 电压VR:650V
参数3: 压降VF:1.3V
参数4: 反向电流IR:50uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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碳化硅二极管是一款基于先进材料技术的半导体器件,其正向电流(IF)承载能力达10安培,反向重复峰值电压(VR)为650伏特,确保了在高压环境下的稳定运行。正向电压降(VF)低至1.3伏特,在保证高效导电的同时减少了能量损耗。该器件的反向漏电流(IR)仅为50微安,体现了其优异的绝缘性能。此外,它能承受高达80安培的瞬时峰值正向电流(IFSM),增强了应对突发电流冲击的能力。此款二极管适用于需要高效率和高可靠性的电路设计中,如电源转换、可再生能源系统及紧凑型电子设备等应用领域。

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