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这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.5伏特，在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）控制在250微安。此外，该二极管瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达67安培，适用于需要高效率及高频操作的应用场景，如电源转换与逆变技术领域，能够在严苛的工作环境中提供可靠的性能表现。
