FFSB1065B_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: 电流IO:10A
参数2: 电压VR:650V
参数3: 压降VF:1.3V
参数4: 反向电流IR:50uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款碳化硅二极管具有10A的正向电流(IF/A),能够承受最高650V的反向电压(VR/V)。其正向电压降(VF/V)仅为1.3V,在反向偏置条件下,漏电流(IR/uA)不超过50微安。此外,该二极管瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达80A,在高频开关电源和其他需要高效能与高可靠性的电路中,可以提供卓越的性能表现。

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