IDWD20G120C5XKSA1_TO-247-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247-2L
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 30/管装
参数1: 电流IO:20A
参数2: 电压VR:1200V
参数3: 压降VF:1.5V
参数4: 反向电流IR:200uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流(IF),能够承受最高达1200伏特的反向电压(VR),确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降(VF)仅为1.5伏特,在大电流工作条件下能够减少能量损耗。其反向漏电流(IR)为200微安,在非导通状态下有效抑制了不必要的电流流动。瞬态正向浪涌电流(IFSM)最高可达130安培,适用于需要短时间承受电流峰值的应用场合。此元件适合用于需要高效率及稳定性的电路设计中,如开关电源和其他需要高性能整流解决方案的领域。

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