SCS210ANHR_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: 电流IO:10A
参数2: 电压VR:650V
参数3: 压降VF:1.3V
参数4: 反向电流IR:50uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款碳化硅二极管设计用于需要高性能和高效率的场合,具备10A的正向平均电流(IF)能力,能够承受高达650V的反向电压(VR),确保了在高压条件下的可靠运行。其正向电压(VF)仅为1.3V,有助于降低系统能耗。该二极管还具有低至50μA的反向漏电流(IR),减少了不必要的能量损失。最大浪涌电流(IFSM)可达80A,增强了对突发大电流情况的处理能力,适合应用于各种电源转换及高效能电子设备中。

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