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这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流(IF/A),能够承受最高650伏特的反向电压(VR/V)。在其正向导通状态下的电压降(VF/V)仅为1.3伏特,有助于减少能量损耗。此外,该二极管在反向偏置条件下展示出微安级别的极低反向漏电流(IR/uA:50),表明其拥有良好的阻断性能。峰值瞬态电流(IFSM/A)可达80安培,适用于高频开关及电源整流等要求苛刻的应用中,确保了高效的电力转换与可靠的电路保护。