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这款碳化硅二极管具备30安培的正向电流(IF)承载能力，同时支持高达1200伏特的反向电压(VR)，适合用于需要高压稳定性的电路设计。其正向电压(VF)为1.5伏特，有助于降低能量损失。反向漏电流(IR)为250微安，展示了良好的阻断特性。此外，该二极管能够承受121安培的瞬态正向浪涌电流(IFSM)，表明其在面对电流峰值时依然可靠。这些特性使其成为追求高效能与低功耗应用的理想选择。
