TRS4E65F,S1Q_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220H-2L
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 50/管装
参数1: 电流IO:4A
参数2: 电压VR:650V
参数3: 压降VF:1.3V
参数4: 反向电流IR:50uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流(IF/A),可承受高达650伏特的反向电压(VR/V)。其正向压降(VF/V)为1.3伏特,有助于减少能耗。二极管的反向漏电流(IR/uA)维持在50微安水平,体现了较好的绝缘特性。瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)达到23安培,意味着它可以应对瞬时电流峰值。适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要紧凑尺寸与高性能表现的应用中。

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