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这款碳化硅二极管具备30A的正向电流(IF/A)承载能力,同时拥有650V的反向击穿电压(VR/V),适用于要求严苛的高电压与大电流环境。其正向电压(VF/V)为1.3V,在保证性能的同时减少了能量损失。反向漏电流(IR/uA)为150微安,在非导通状态下有效抑制了不必要的功耗。瞬态峰值电流(IFSM/A)达到210A,能够应对突变负载需求,适合用于需要高速切换及稳定性的电路设计中。