STPSC10H065G-TR_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: 电流IO:10A
参数2: 电压VR:650V
参数3: 压降VF:1.3V
参数4: 反向电流IR:50uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款碳化硅二极管具有10A的正向电流(IF/A),能够在确保效率的同时处理较大的电流。其反向击穿电压(VR/V)为650V,提供了可靠的耐压性能,适用于需要高电压稳定性的电路设计。该二极管的正向电压降(VF/V)仅为1.3V,在大电流工作条件下能有效降低能量损耗。此外,它拥有50微安的反向漏电流(IR/uA),表明即使在反向偏置下也有较低的漏电,增强了整体的稳定性。瞬态状态下的最大正向电流(IFSM/A)可以达到80A,使得该二极管能够承受短时过载而不损坏。这些特性使其成为高性能电源管理解决方案中的理想选择。

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