IDH08G65C5XKSA2_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220H-2L
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 50/管装
参数1: 电流IO:8A
参数2: 电压VR:650V
参数3: 压降VF:1.3V
参数4: 反向电流IR:50uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款碳化硅二极管具备8A的最大正向电流(IF/A),能够承受高达650V的反向电压(VR/V),适合用于高压环境中的电路设计。其正向电压(VF/V)为1.3V,在确保导通的同时降低了能量损失。反向漏电流(IR/uA)为50μA,显示了其优秀的阻断性能。此外,该二极管能承受最高64A的瞬时正向浪涌电流(IFSM/A),这使得它在应对短时电流峰值方面表现优异。这些特性使其成为高频开关电源和精密电源管理系统中的理想选择,有助于提升整体系统的效率与可靠性。

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