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这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.5伏特，在确保高效能的同时，减少了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在200微安，显示了良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达130安培，表明它能在短时间内处理较大的电流波动，适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中。
