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这款碳化硅二极管具有30安培的正向电流（IF/A），以及高达1200伏特的反向击穿电压（VR/V），适用于需要高电压稳定性和大电流处理能力的应用。其正向电压降（VF/V）仅为1.5伏特，在确保高效能的同时减少了功率损耗。该二极管在反向偏压下的漏电流（IR/uA）为200微安，显示出良好的阻断特性。瞬态条件下，它能够承受最高达100安培的正向浪涌电流（IFSM/A），增强了器件的可靠性与耐用性。这些特性使得此款二极管适合用于高频开关电源和其他需要高性能二极管的应用中。
