ES2G_SMA_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SMA
类别: 快恢复/高效率二极管
最小包装: 2000/圆盘
参数1: 电流IO:2A
参数2: 电压VR:400V
参数3: 压降VF:1.25V
参数4: 反向电流IR:5uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款快恢复、高效率二极管具有稳定的性能,其最大正向电流IF为2A,能够承受最高400V的反向电压VR,适用于多种高压电路环境中。正向电压降VF仅为1.25V,有助于减少电力损耗,增强电路效率。在非导通状态下,反向漏电流IR低至5μA,有助于降低不必要的能耗。此外,它能够承受高达50A的瞬态峰值电流IFSM,确保了在突发电流情况下的可靠性和耐用性,适用于高频开关电源及其他注重效率与可靠性的电路设计。

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